氧化（Oxidation）是將硅片放置于氧氣或水汽等氧化劑的氛圍中進(jìn)行高溫?zé)崽幚?，在硅片表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)形成氧化膜的過程，是集成電路工藝中應(yīng)用較廣泛的基礎(chǔ)工藝之一。氧化膜的用途廣泛，可作為離子注入的阻擋層及注入穿透層（損傷緩沖層）、表面鈍化、絕緣柵材料以及器件保護(hù)層、隔離層、器件結(jié)構(gòu)的介質(zhì)層等。 擴(kuò)散（Diffusion）是在高溫條件下，利用熱擴(kuò)散原理將雜質(zhì)元素按工藝要求摻入硅襯底中，使其具有特定的濃度分布，達(dá)到改變材料的電學(xué)特性，形成半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的目的。在硅集成電路工藝中，擴(kuò)散工藝用于制作PN結(jié)或構(gòu)成集成電路中的電阻、電容、互連布線、二極管和晶體管等器件。   

退火（Anneal）也叫熱退火，集成電路工藝中所有在氮?dú)獾炔换顫姎怏w中進(jìn)行熱處理的過程都可稱為退火，其作用主要是消除晶格缺陷和消除硅結(jié)構(gòu)的晶格損傷。 另外，為了使硅片表面形成良好的基礎(chǔ)，以及穩(wěn)定Cu配線的結(jié)晶結(jié)構(gòu)并去除雜質(zhì)，從而提高配線的可靠性，通常需要把硅片放置在惰性氣體如氬氣的環(huán)境中進(jìn)行低溫?zé)崽幚?，這個(gè)過程被稱為合金（Alloy）。   

以上工藝廣泛用于半導(dǎo)體集成電路、先進(jìn)封裝、電力電子（IGBT）、微機(jī)電（MEMS）、光伏電池（Photovoltaic）制造等應(yīng)用領(lǐng)域中，北方華創(chuàng)的立式爐、臥式爐設(shè)備均已達(dá)到國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備的先進(jìn)水平，其技術(shù)指標(biāo)及工藝性能表現(xiàn)突出，致力于為客戶提供具有前瞻性與先導(dǎo)性的產(chǎn)品技術(shù)與解決方案。