半導(dǎo)體裝備 Semiconductor

THEORIS X302P

12英寸立式中溫氧化爐

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THEORIS X302P 12英寸立式中溫氧化爐
THEORIS X302P 12 Inch Vertical Mid-Temp Oxidation Furnace
THEORIS X302P主要用于12英寸600℃-1000℃氧化及退火工藝。該機(jī)臺(tái)為立式單腔爐管系統(tǒng),工藝處理過程實(shí)現(xiàn)了高度自動(dòng)化。系統(tǒng)主要由傳輸模塊、工藝模塊、電源柜等部分組成。
設(shè)備特點(diǎn)
  • 先進(jìn)顆??刂萍夹g(shù)
  • 高精度溫度場(chǎng)控制技術(shù)
  • 先進(jìn)的微環(huán)境氧含量控制技術(shù)
  • 高產(chǎn)能
產(chǎn)品應(yīng)用
  • 晶圓尺寸
    12英寸
  • 適用材料
  • 適用工藝
    干氧氧化、濕氧氧化、DCE氧化、摻氮氧化、退火
  • 適用領(lǐng)域
    集成電路、功率半導(dǎo)體、襯底材料
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