在半導體襯底材料領(lǐng)域，硅（Si）襯底材料是半導體應用廣泛、可獲得尺寸較大、器件工藝較成熟的半導體材料；碳化硅（SiC）材料以其快速高效的物理特性正逐步成為第三代半導體材料的優(yōu)選。隨著智能電網(wǎng)、軌道交通、電動汽車等領(lǐng)域的飛速發(fā)展，為第三代半導體材料的應用提供了廣闊的發(fā)展前景。   

  在襯底材料領(lǐng)域，北方華創(chuàng)可以提供6-12英寸硅外延系統(tǒng)、碳化硅外延系統(tǒng)、清洗機、氧化退火爐、碳化硅單晶生長爐、碳化硅退火爐等，為客戶提供專業(yè)的工藝解決方案。