半導(dǎo)體裝備 Semiconductor

THEORIS A302C

12英寸立式PI固化爐

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THEORIS A302C 12英寸立式PI固化爐
THEORIS A302C 12 Inch Vertical Polyimide Cure Furnace
THEORIS A302C立式退火爐在中低溫條件下,通入N?、H?或D?等氣體,消除硅片界面處金屬及非金屬晶格缺陷和晶格損傷,優(yōu)化硅片界面質(zhì)量,提升器件良率。該退火設(shè)備提供高精度的溫度控制算法、嚴(yán)格的金屬控制指標(biāo)、穩(wěn)定的傳輸控制系統(tǒng)以及安全的特氣處理裝置等解決方案,兼顧了工藝目標(biāo)的實(shí)現(xiàn)與生產(chǎn)可靠性的保障。
設(shè)備特點(diǎn)
  • 高精度溫度場控制技術(shù)
  • 先進(jìn)的顆??刂萍夹g(shù)
  • 高效的副產(chǎn)物收集技術(shù)
  • 先進(jìn)的氧含量控制技術(shù)
產(chǎn)品應(yīng)用
  • 晶圓尺寸
    12英寸
  • 適用材料
  • 適用工藝
    PI膠固化
  • 適用領(lǐng)域
    集成電路、 功率半導(dǎo)體
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