首頁(yè) 產(chǎn)品&服務(wù) 半導(dǎo)體裝備 氧化擴(kuò)散設(shè)備 12英寸立式低壓化學(xué)氣相沉積氮化硅爐

半導(dǎo)體裝備 Semiconductor

THEORIS SN302D

12英寸立式低壓化學(xué)氣相沉積氮化硅爐

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THEORIS SN302D 12英寸立式低壓化學(xué)氣相沉積氮化硅爐
THEORIS SN302D 12 Inch Vertical LPCVD SiN Furnace
THEORIS SN302D主要用于12英寸晶圓上的氮化硅薄膜低壓化學(xué)氣相沉積工藝,可覆蓋高、低溫氮化硅薄膜沉積。該機(jī)臺(tái)可進(jìn)行全自動(dòng)工藝流程,系統(tǒng)主要由傳輸模塊、工藝模塊、控制模塊和附屬設(shè)備構(gòu)成。升級(jí)版系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)原位清洗等功能,有效控制顆粒,降低維護(hù)時(shí)間,提高設(shè)備利用率。
設(shè)備特點(diǎn)
  • 先進(jìn)的壓力控制系統(tǒng)
  • 高精度溫度場(chǎng)控制技術(shù)
  • 先進(jìn)的顆??刂萍夹g(shù)
  • 先進(jìn)的微環(huán)境氧含量控制技術(shù)???
  • 高產(chǎn)能
產(chǎn)品應(yīng)用
  • 晶圓尺寸
    12英寸
  • 適用材料
  • 適用工藝
    氮化硅低壓化學(xué)氣相沉積
  • 適用領(lǐng)域
    集成電路、功率半導(dǎo)體
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