首頁 產(chǎn)品&服務(wù) 半導(dǎo)體裝備 氧化擴(kuò)散設(shè)備 12英寸立式低壓化學(xué)氣相沉積非摻雜多晶硅爐

半導(dǎo)體裝備 Semiconductor

THEORIS PY302U

12英寸立式低壓化學(xué)氣相沉積非摻雜多晶硅爐

聯(lián)系咨詢
THEORIS PY302U 12英寸立式低壓化學(xué)氣相沉積非摻雜多晶硅爐
THEORIS PY302U 12 Inch Vertical LPCVD Undoped Poly Furnace
THEORIS PY302U應(yīng)用于高性能的半導(dǎo)體多晶硅薄膜制造,通過低壓化學(xué)氣相沉積方式實(shí)現(xiàn)晶圓表面多晶硅薄膜的沉積,占地面積小,可大批量處理12英寸晶圓。
設(shè)備特點(diǎn)
  • 先進(jìn)的壓力控制系統(tǒng)
  • 高精度溫度場控制技術(shù)
  • 先進(jìn)的顆??刂萍夹g(shù)
  • 優(yōu)良的薄膜均勻性
  • 先進(jìn)的微環(huán)境氧含量控制技術(shù)
產(chǎn)品應(yīng)用
  • 晶圓尺寸
    12英寸
  • 適用材料
  • 適用工藝
    多晶硅薄膜低壓化學(xué)氣相沉積
  • 適用領(lǐng)域
    集成電路、功率半導(dǎo)體、襯底材料
分享我們:
微信掃一掃
聯(lián)系我們
官方公眾號