首頁 產(chǎn)品&服務(wù) 半導(dǎo)體裝備 氧化擴(kuò)散設(shè)備 12英寸立式低壓化學(xué)氣相沉積高溫氧化硅爐

半導(dǎo)體裝備 Semiconductor

THEORIS HO302D

12英寸立式低壓化學(xué)氣相沉積高溫氧化硅爐

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THEORIS HO302D 12英寸立式低壓化學(xué)氣相沉積高溫氧化硅爐
THEORIS HO302D 12 Inch Vertical LPCVD HTO Furnace
THEORIS HO302D通過立式低壓化學(xué)氣相沉積方式實(shí)現(xiàn)12英寸晶圓表面氧化硅薄膜的沉積，占地面積小，可大批量處理12英寸晶圓。
設(shè)備特點(diǎn)
  • 先進(jìn)的壓力控制系統(tǒng)
  • 高精度溫度場(chǎng)控制技術(shù)
  • 先進(jìn)的顆?？刂萍夹g(shù)
  • 優(yōu)良的薄膜均勻性
  • 先進(jìn)的微環(huán)境氧含量控制技術(shù)
產(chǎn)品應(yīng)用
  • 晶圓尺寸
    12英寸
  • 適用材料
    硅
  • 適用工藝
    二氧化硅低壓化學(xué)氣相淀積
  • 適用領(lǐng)域
    集成電路、功率半導(dǎo)體、 硅基微型顯示
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