半導(dǎo)體裝備 Semiconductor

VERIC O6151A

SiC高溫氧化爐

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VERIC O6151A SiC高溫氧化爐
VERIC O6151A SiC High-Temp Oxidator Furnace
VERIC O6151A SiC高溫氧化爐具有無(wú)金屬、抗腐蝕的工藝室及真空密閉的加熱系統(tǒng)設(shè)計(jì),確保有毒和可燃性氣體安全使用。主要應(yīng)用于化合物半導(dǎo)體、襯底材料、科研領(lǐng)域中的高溫氧化工藝,支持1500℃持續(xù)高溫氧化工藝,持續(xù)時(shí)間≥10小時(shí)。
設(shè)備特點(diǎn)
  • 溫度可達(dá)1500℃,溫區(qū)均勻性±1℃
  • 膜厚均勻,WIW WTW 和RTR 一致性好
  • 石墨電阻加熱,工藝腔室潔凈
  • 自動(dòng)裝片,Cassette to Cassette
  • 安全設(shè)計(jì),符合CE\SEMI S6 標(biāo)準(zhǔn)
產(chǎn)品應(yīng)用
  • 晶圓尺寸
    4/6英寸兼容
  • 適用材料
    碳化硅
  • 適用工藝
    干氧氧化 、濕氧、Ar/N? 退火、NO/N?O 退火、H? 退火、DCE清洗
  • 適用領(lǐng)域
    化合物半導(dǎo)體、襯底材料、科研領(lǐng)域
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