半導(dǎo)體裝備 Semiconductor

AGF Series

電阻式SiC長晶爐

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AGF Series 電阻式SiC長晶爐
AGF Series Resistance SiC Crystal Growing Furnace
AGF電阻式SiC長晶爐適用于6/8英寸導(dǎo)電和高純半絕緣型SiC晶體生長，多加熱器設(shè)計(jì)允許靈活的工藝和熱場(chǎng)設(shè)置，下裝載結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)便捷的開裝爐及維護(hù)操作，同時(shí)設(shè)備擁有高精度控溫、控壓能力，工藝性能穩(wěn)定優(yōu)良。
設(shè)備特點(diǎn)
  • 適用于6、8英寸，導(dǎo)電/高純半絕緣型SiC晶體生長
  • 4組加熱器獨(dú)立控制，靈活的溫場(chǎng)調(diào)節(jié)能力
  • 坩堝系統(tǒng)具備升降、旋轉(zhuǎn)功能，溫場(chǎng)更均勻
  • 下裝載，上維護(hù)，操作便捷
產(chǎn)品應(yīng)用
  • 晶體尺寸
    6、8 英寸
  • 適用材料
    碳化硅
  • 適用工藝
    物理氣相輸運(yùn)法（PVT 法）
  • 適用領(lǐng)域
    化合物半導(dǎo)體、科研、襯底材料
  • 加熱方式
    電阻加熱
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