半導(dǎo)體裝備 Semiconductor

GSE V200

高精度刻蝕機(jī)

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GSE V200 高精度刻蝕機(jī)
GSE V200 High Precision Etcher
GSE V200高精度等離子體刻蝕機(jī)適用于8英寸低損傷刻蝕工藝。設(shè)備具備優(yōu)異的刻蝕均勻性，良好的顆粒控制能力，寬闊的工藝窗口及精確的形貌控制能力；該設(shè)備為多腔室集群設(shè)備，具備全流程的自動化解決方案。設(shè)備刻蝕材料包括GaN，SiO?，SiN，TiO?，TiW，AlGaInP，GaP， GaAs，AlGaN，AlN，PI等，已廣泛應(yīng)用于化合物半導(dǎo)體、Micro LED、GaN功率器件、GaN射頻器件等制造中的關(guān)鍵工藝。
設(shè)備特點(diǎn)
  • 用于GaN功率器件、GaN射頻器件、GaN顯示器件的刻蝕設(shè)備
  • 低損傷高精度刻蝕，兼容ALE功能
  • 可調(diào)節(jié)的等離子體源設(shè)計(jì)，寬闊的工藝窗口
  • 專業(yè)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，優(yōu)良的刻蝕均勻性
產(chǎn)品應(yīng)用
  • 晶圓尺寸
    8英寸及以下
  • 適用材料
    氮化鎵、氧化硅/氧化鈦、砷化鎵、磷化鎵、鋁鎵銦磷、氮化硅、鎢化鈦、有機(jī)物等
  • 適用工藝
    多種材料刻蝕工藝
  • 適用領(lǐng)域
    化合物半導(dǎo)體、Micro LED、科研領(lǐng)域
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