半導(dǎo)體裝備 Semiconductor

PSE V300

深硅刻蝕機(jī)

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PSE V300 深硅刻蝕機(jī)
PSE V300 Deep Silicon Etcher
PSE V300主要用于12英寸深硅刻蝕，同時(shí)兼具Bosch/Non-Bosch工藝，實(shí)現(xiàn)多工藝領(lǐng)域覆蓋。該機(jī)臺(tái)針對Bosch循環(huán)工藝方式采用專業(yè)先進(jìn)的快速響應(yīng)硬件配置及軟件流程控制，結(jié)合先進(jìn)的工藝技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)超高深寬比下良好的工藝性能，配置多腔平臺(tái)，滿足大產(chǎn)能量產(chǎn)使用需求。
設(shè)備特點(diǎn)
  • 兼容Bosch/Non-Bosch工藝，實(shí)現(xiàn)多工藝領(lǐng)域覆蓋
  • 優(yōu)化的進(jìn)氣系統(tǒng)和ESC系統(tǒng)，提高均勻性
  • 快速進(jìn)氣系統(tǒng)，確保刻蝕速率高，Scallop小
  • 實(shí)現(xiàn)高深寬比的形貌控制
產(chǎn)品應(yīng)用
  • 晶圓尺寸
    8/12 英寸兼容
  • 適用材料
    硅、氧化硅、氮化硅
  • 適用工藝
    2.5D&3D TSV刻蝕、深槽隔離/電容刻蝕、MEMS刻蝕
  • 適用領(lǐng)域
    集成電路、先進(jìn)封裝、功率半導(dǎo)體、圖像傳感器、微機(jī)電系統(tǒng)
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