首頁 產(chǎn)品&服務(wù) 半導(dǎo)體裝備 化學(xué)氣相沉積設(shè)備 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)

半導(dǎo)體裝備 Semiconductor

EPEE i800

等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)

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EPEE i800 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
EPEE i800 PECVD System
EPEE i800系列主要用于6英寸及以下氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等介質(zhì)薄膜沉積工藝,采用單腔多片自動化傳輸架構(gòu),兼容藍(lán)寶石、SiC、砷化鎵等不同襯底規(guī)格,可廣泛應(yīng)用于化合物半導(dǎo)體、半導(dǎo)體照明、科研等領(lǐng)域。
設(shè)備特點(diǎn)
  • 多站式旋轉(zhuǎn)沉積架構(gòu),兼具產(chǎn)能和均勻性優(yōu)勢
  • 良好的片內(nèi)、片間薄膜均勻性控制
  • 全自動晶圓傳輸系統(tǒng),高效便捷
  • 高效大功率在線清洗工藝及沉積顆粒度控制
  • 集成多項(xiàng)人性化軟件操作功能
產(chǎn)品應(yīng)用
  • 晶圓尺寸
    8英寸及以下
  • 適用材料
    氧化硅、氮化硅、氮氧化硅
  • 適用工藝
    氧化硅圖形化襯底層、鈍化保護(hù)層、絕緣層、掩摸層沉積
  • 適用領(lǐng)域
    化合物半導(dǎo)體、半導(dǎo)體照明、科研領(lǐng)域
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