首頁(yè) 產(chǎn)品&服務(wù) 半導(dǎo)體裝備 化學(xué)氣相沉積設(shè)備 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)

半導(dǎo)體裝備 Semiconductor

EPEE 550

等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)

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EPEE 550 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
EPEE 550 PECVD System
EPEE 550系列主要用于2~8英寸SiO?、SiN?、SiON等介質(zhì)薄膜沉積工藝，單反應(yīng)腔多片架構(gòu)，兼具大產(chǎn)能和高性價(jià)比特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于LED領(lǐng)域藍(lán)綠、紅黃光制程工藝。
設(shè)備特點(diǎn)
  • 大容量載盤，兼容不同晶圓尺寸
  • 良好的薄膜沉積均勻性
  • 高功率在線清洗技術(shù)，清洗效率高
  • 可選高、低頻電源配置，薄膜應(yīng)力可調(diào)
  • 低擁有成本、低運(yùn)營(yíng)成本
產(chǎn)品應(yīng)用
  • 晶圓尺寸
    8英寸及以下
  • 適用材料
    氧化硅、氮化硅、氮氧化硅
  • 適用工藝
    保護(hù)層、掩膜層、電流阻擋層
  • 適用領(lǐng)域
    半導(dǎo)體顯示及照明、科研領(lǐng)域
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