GSE C200采用高密度等離子體源，刻蝕速率高、均勻性好、顆?？刂颇芰?qiáng)、易維護(hù)、性能穩(wěn)定。其在硅、氧化硅、氮化硅、氮化鎵、砷化鎵、磷化銦、鈮酸鋰、金屬、有機(jī)物等多種材料的刻蝕上性能優(yōu)良。本刻蝕機(jī)已進(jìn)入多家IC Fab主流產(chǎn)線以及化合物等新興應(yīng)用量產(chǎn)產(chǎn)線，具有快速導(dǎo)產(chǎn)能力，同時(shí)針對(duì)大學(xué)、科研院所提供高性價(jià)比配置。