在AI革新的浪潮中，我們見證了從語言對話到圖像及短視頻生成的探索與應(yīng)用，AI不斷衍生的應(yīng)用場景，正成為驅(qū)動AI大模型技術(shù)迭代和產(chǎn)業(yè)增長的重要力量。受應(yīng)用場景驅(qū)動影響，AI需要更高性能的芯片來滿足數(shù)據(jù)資源的計算、傳感、存儲、通訊、安全等需求，集成電路技術(shù)擁有巨大的創(chuàng)新空間。
近年，芯片三維集成技術(shù)發(fā)展迅猛，三維集成的方式能有效地提高芯片整體性能和良率，高帶寬存儲HBM[1]和CoWoS[2]先進封裝技術(shù)被廣泛應(yīng)用并加速發(fā)展，拉動集成電路裝備產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。
北方華創(chuàng)深耕集成電路裝備產(chǎn)業(yè)二十余載，可為先進封裝領(lǐng)域客戶提供TSV（硅通孔）制造、正面制程-大馬士革工藝、背面制程-露銅刻蝕和RDL（再布線層）工藝的全面解決方案，涉及刻蝕、薄膜、爐管、清洗四大類二十余款裝備工藝解決方案。
在刻蝕裝備工藝解決方案中，北方華創(chuàng)PSE V300設(shè)備在TSV工藝中采用快速氣體和射頻切換控制系統(tǒng)結(jié)合的方式，在高深寬比深硅刻蝕中精準控制側(cè)壁形貌，實現(xiàn)側(cè)壁無損傷和線寬無損傷，刻蝕均勻性、選擇比更佳；采用每腔單片設(shè)計，具有更好的氣流場均勻性和真圓度工藝表現(xiàn)；通過優(yōu)化機臺晶圓邊緣保護裝置，提高產(chǎn)品良率；在2.5D[3]工藝中，北方華創(chuàng)提供可滿足BVR（背面通孔暴露）和BFR（背面平整暴露）不同工藝需求的刻蝕工藝解決方案；北方華創(chuàng)HSE D300設(shè)備在Plasma Dicing（等離子體切割）工藝中針對小芯片制造具有高刻蝕速率和高深寬比能力優(yōu)勢，具有多種UV膜[4]的冷卻方式，保證UV膜的延展性，實現(xiàn)高質(zhì)量的芯片切割；BMD P300設(shè)備作為封裝領(lǐng)域Descum（去殘膠）的主力產(chǎn)品，在Bumping（凸點工藝）、Fan out（扇出封裝）、2.5D&3D應(yīng)用中的殘留光刻膠去除、殘余金屬去除、表面活化等工藝方面，為客戶提供Descum解決方案。
在薄膜沉積裝備工藝解決方案中，北方華創(chuàng)采用PEALD（等離子體增強原子層沉積）方式沉積二氧化硅保護層，可實現(xiàn)更好的側(cè)壁形貌和底層覆蓋率；在TSV Barrier/Seed Deposition（阻擋層/種子層沉積）工藝中采用PVD（物理氣相沉積）設(shè)備解決方案，能滿足金屬擴散阻擋層/種子層的膜厚、均勻性、粘附性要求，防止金屬擴散，確保器件電學(xué)性能、結(jié)構(gòu)完整性和工藝兼容性。
在爐管裝備工藝解決方案中，北方華創(chuàng)設(shè)備在TSV工藝的退火環(huán)節(jié)中通過出色的溫度控制能力和工藝表現(xiàn)，實現(xiàn)銅的晶粒分布更加均勻，降低電阻率，提高TSV的制造質(zhì)量和性能。
在清洗裝備工藝解決方案中，北方華創(chuàng)設(shè)備在TSV工藝中可實現(xiàn)水溶性化學(xué)物質(zhì)的結(jié)合，有效去除側(cè)壁聚合物，確保深孔內(nèi)壁清潔；在2.5D工藝中可降低銅的腐蝕率，提高化學(xué)品應(yīng)用效率，實現(xiàn)更高的經(jīng)濟效益。
北方華創(chuàng)面向先進封裝領(lǐng)域提供多種核心工藝設(shè)備解決方案，始終堅持以客戶需求為導(dǎo)向，助力客戶開拓創(chuàng)新，推動產(chǎn)業(yè)進步，創(chuàng)造無限可能。
[1] AI對算力與存力的需求大幅提升，需要巨大的內(nèi)存帶寬。
[2] AI芯片訓(xùn)練和推理需要在內(nèi)存和處理器之間傳輸大量數(shù)據(jù)，CoWoS則可將多個芯片堆疊在一起實現(xiàn)高度集成，提升芯片之間的通信效率。
[3]2.5D工藝是一種先進的封裝技術(shù)，通過在硅片的背面形成TSV（硅通孔）和RDL（再布線層）來實現(xiàn)不同芯片或芯片區(qū)域之間的垂直互連。
[4] 主要用以阻隔紫外線對敏感器件或工藝過程的影響，確保半導(dǎo)體制造過程中的高精度與高質(zhì)量。
