近年人工智能迅猛發(fā)展，2.5D和3D封裝技術(shù)革新了芯片互聯(lián)方式，成為突破集成電路發(fā)展制程瓶頸的關(guān)鍵。TSV（硅通孔）技術(shù)作為先進互聯(lián)方式，在3D IC封裝如HBM（高帶寬內(nèi)存）[1]以及2.5D封裝技術(shù)如CoWoS[2]中起著至關(guān)重要的作用，推動了集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展，市場空間廣闊[3]。
[1] HBM是一種先進的內(nèi)存技術(shù)，指將DRAM（動態(tài)隨機存儲器）芯片垂直堆疊至邏輯芯片旁，大幅增加內(nèi)存帶寬，滿足了高性能需求。
[2] CoWoS是一種2.5D封裝技術(shù)，它突破了傳統(tǒng)單一封裝芯片的局限，通過硅中介層實現(xiàn)不同芯片的高度集成和高效互聯(lián)。
[3] TrendForce（集邦咨詢）預(yù)計2023年全球HBM需求量將年增近六成，2024年將再增長30%。
北方華創(chuàng)推出的12英寸深硅刻蝕機PSE V300，歷經(jīng)迭代，已獲得國內(nèi)多家12英寸先進集成電路廠商的認可，成為TSV量產(chǎn)生產(chǎn)線主力機臺，并擴展至功率器件、CIS（CMOS Image Sensor，圖像傳感器）等領(lǐng)域，全面應(yīng)用于國內(nèi)各大12英寸主流Fab廠。截至目前，設(shè)備裝機量已超百腔，市占率逐年提升，深受客戶認可。
PSE V300機臺采用快速氣體和射頻切換控制系統(tǒng)結(jié)合的方式，能在大于50:1高深寬比深硅刻蝕中精準控制側(cè)壁形貌，實現(xiàn)側(cè)壁無損傷和線寬無損傷，其工藝性能優(yōu)于當前行業(yè)指標，刻蝕均勻性、選擇比更佳。
在結(jié)構(gòu)系統(tǒng)方面，PSE V300采用每腔單片設(shè)計，具有更好的氣流場均勻性和真圓度工藝表現(xiàn)，確保半導(dǎo)體器件制造工藝質(zhì)量和穩(wěn)定性更優(yōu)。機臺可同時配置6個腔室，產(chǎn)能、性能優(yōu)異。此外，通過優(yōu)化機臺晶圓邊緣保護裝置，提高產(chǎn)品良率，效果優(yōu)于當前行業(yè)產(chǎn)品指標，廣受市場好評。
未來，北方華創(chuàng)將持續(xù)投入研發(fā)力量，以實現(xiàn)刻蝕機技術(shù)的新突破，力求以更優(yōu)質(zhì)的設(shè)備，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供堅實的保障，推動產(chǎn)業(yè)進步，創(chuàng)造無限可能。
