北方華創(chuàng)高介電常數(shù)原子層沉積設(shè)備獲批量訂單

　　近期，北方華創(chuàng)12英寸高介電常數(shù)原子層沉積設(shè)備Scaler HK430實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)，獲得批量訂單，市占率不斷攀升，贏得客戶信任。這標(biāo)志著北方華創(chuàng)CVD（化學(xué)氣相沉積）先進(jìn)工藝設(shè)備解決方案的成功應(yīng)用，為華創(chuàng)進(jìn)一步拓寬高端設(shè)備賽道注入新的動(dòng)力。

　　為了突破晶體管尺寸微縮的工藝瓶頸，業(yè)界采用新型High-K材料HfO2（氧化鉿）作為柵介質(zhì)層，結(jié)合金屬柵極技術(shù)，研發(fā)出HKMG(High-K/Metal Gate高介電常數(shù)/金屬柵極)工藝。該工藝在45nm及以下節(jié)點(diǎn)占據(jù)核心地位，CVD/ALD（原子層沉積）工藝設(shè)備成為HKMG工藝的重要支撐。北方華創(chuàng)憑借多年的原子層沉積技術(shù)積累，創(chuàng)新推出12英寸高介電常數(shù)原子層沉積設(shè)備Scaler HK430，憑借領(lǐng)先的性能優(yōu)勢(shì)、產(chǎn)能優(yōu)勢(shì)，以及應(yīng)用于國(guó)內(nèi)12英寸主流Fab（半導(dǎo)體制造）廠的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，成為國(guó)內(nèi)HiK量產(chǎn)生產(chǎn)線的主力機(jī)臺(tái)。

　　Scaler HK430設(shè)備采用Cross Flow（橫流）的進(jìn)氣方式，能夠?qū)崿F(xiàn)更好的工藝穩(wěn)定性控制，運(yùn)用旋轉(zhuǎn)Heater（加熱基座）結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，能夠達(dá)成更好的薄膜沉積均勻性及優(yōu)異的顆?？刂票憩F(xiàn)；在結(jié)構(gòu)系統(tǒng)方面，采用每腔單片式設(shè)計(jì)，在氣流場(chǎng)均勻性、溫度控制等方面表現(xiàn)優(yōu)異，單片工藝結(jié)果一致性大幅提高；此外，反應(yīng)源采用雙源瓶設(shè)計(jì)，能夠?qū)崿F(xiàn)更高的Uptime（運(yùn)行時(shí)間），同時(shí)源瓶采用真空加熱方式，溫度控制更加精準(zhǔn)，安全系數(shù)更高，相較于同類型產(chǎn)品具備更好的顆?？刂颇芰?；在軟件方面，通過(guò)全自動(dòng)流程及相關(guān)數(shù)據(jù)監(jiān)控、安全互鎖設(shè)定等為實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)提供更好的運(yùn)行環(huán)境，與同類型產(chǎn)品相比，具備更高的安全性及穩(wěn)定性。廣泛應(yīng)用于Logic（邏輯）、DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）等領(lǐng)域。

　　未來(lái)，北方華創(chuàng)將矢志不渝地加快科技創(chuàng)新的實(shí)踐步伐，不斷推進(jìn)CVD先進(jìn)工藝設(shè)備的布局研發(fā)，為半導(dǎo)體行業(yè)的多元化技術(shù)需求提供更為高效的解決方案，推動(dòng)半導(dǎo)體裝備制造技術(shù)的發(fā)展邁向新高度。